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CoolSiC MOSFET 650V G2技術社區

CoolSiC MOSFET 650V G2

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CoolSiC MOSFET 650V G2資訊

英飛凌CoolSiC碳化硅MOSFET獲豐田bZ4X車型采用

英飛凌宣布，其碳化硅功率半導體器件被豐田新款純電動車型 bZ4X 選用，旗下 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 將應用于該車的車載充電器（OBC）與直流 - 直流轉換器（DC/DC）中。對于歐洲電子工程新聞網的讀者而...

英飛凌 CoolSiC 2026-02-11

安森美T2PAK封裝：破局熱管理瓶頸重構高功率生態

在電動汽車、光伏儲能、AI數據中心等領域迎來功率需求爆發式增長的當下，熱管理已成為制約電源產品功率密度與效率提升的核心瓶頸。傳統封裝方案往往在散熱性能與開關特性之間難以兼顧，行業迫切需要兼具創新結構與卓越性能的解決方案。...

202601 MOSFET 2026-02-03

柵極氧化層在SiC MOSFET設計中的重要作用

碳化硅功率半導體在光伏、充電、電動汽車等行業得到了廣泛應用，其潛力毋庸置疑。然而，從當前高功率碳化硅MOSFET來看，仍存在一個難題：即如何實現平衡性能、魯棒性、可靠性和易用性的設計。比導通電阻是衡量SiC MOSFET...

英飛凌 MOSFET 2026-01-27

碳化硅何以英飛凌？—— SiC MOSFET性能評價的真相

在碳化硅（SiC）技術的應用中，許多工程師對SiC的性能評價存在誤解，尤其是關于“單位面積導通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續為您揭開這些誤區的真相（誤區一見：碳化硅何...

英飛凌碳化硅 2026-01-27

英飛凌拓展 CoolSiC? MOSFET 750 V G2系列，提供超低導通電阻和新型封裝

【2026年1月12日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新封裝的 CoolSiC? MOSFET 750V G2系列，旨...

英飛凌 CoolSiC 2026-01-13

onsemi 與 FORVIA HELLA 在汽車動力 MOSFET 領域進一步展開合作

Onsemi與FORVIA HELLA延續了長期的戰略合作，正式簽署了一項專注于下一代汽車動力MOSFET技術的新長期協議。該交易重點在于將Onsemi的PowerTrench T10 MOSFET應用于FORVIA H...

Onsemi FORVIA HELLA 2026-01-04

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CoolSiC MOSFET 650V G2專欄

2026年MOSFET廠家推薦

2026年MOSFET廠家推薦：聚焦技術實力與解決方案在功率電子設計領域，MOSFET的選擇是決定產品效率、可靠性和成本的關鍵。隨著2026年市場對能源效率、功率密度和智能化要求的進一步提高，工程師面臨的選型挑戰也日益復...

MOSFET MOS管 2026-02-09

MOSFET開關速度不夠導致功率損失及解決方案

MOSFET（場效應晶體管）廣泛應用于現代電子電路，特別是在高效電力電子和開關電源設計中。其高速開關特性使其在很多高頻應用中成為理想的選擇。然而，在某些應用中，由于MOSFET開關速度不足，可能導致功率損失增大，進而影響...

MOSFET 2026-01-04

功率MOS管過熱問題診斷與散熱優化方案

一、MOS管概述MOS管，全稱金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是現代電子電路的核心功率器件。其輸入阻抗可達1012Ω...

MOS管 MOSFET 2025-12-16

MOS管技術詳解與選型應用指南

一、MOS管概述MOS管，全稱金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是現代電子電路的核心功率器件。其通過柵極電壓控制源極與...

MOS管 MOSFET 2025-12-15

MOS管短路保護電路設計實戰解析-ASIM阿賽姆

一、保護電路核心架構主流方案采用MOS管與三極管組合結構。三極管作為檢測元件，當電流異常時快速調整MOS管柵源電壓，形成動態限流機制。該架構響應時間可達毫秒級，在調光器應用中可有效防止燈泡爆裂。二、設計要點與參數計算2....

MOS管 MOSFET 2025-11-29

MOSFET柵極電壓異常或失控的原因與對策

在功率電子系統中，MOSFET 以其高開關速度和低導通損耗而被廣泛應用于電源管理、馬達驅動及DC-DC轉換等領域。然而，FAE在現場調試和失效分析中發現，柵極電壓異常或失控是造成MOSFET失效的常見原因之一。柵極作為控...

MOSFET 2025-10-23

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查看更多>> CoolSiC MOSFET 650V G2電路方案

基于功率MOSFET設計考量

如何為WLED構建一個RGB PWM LED驅動程序

線性放大電路中的乙類推挽功率放大器設計

IGBT工作原理解析

四種最常用的電子元器件的參數解析

MOSFET和三極管的區別在哪？你知道嗎？

高頻變壓器的常用知識，你知道嗎？

如何為用于設備熱插拔選擇合適的 MOSFET器件

CoolSiC MOSFET 650V G2資料

羅姆推出高功率密度的新型SiC模塊，將實現車載充電器小型化！

rohm sic 2025-08-19 立即下載

安森美 NVHL040N120SC1碳化硅MOSFET

安森美 MOSFET 2025-04-03 立即下載

安森美 NVHL020N120SC1碳化硅MOSFET

安森美 MOSFET 2025-04-03 立即下載

安森美車用NVHL160N120SC1碳化硅MOSFET

安森美 MOSFET 2025-04-03 立即下載

MOSFET管的驅動電路設計資料總結

MOSFET 驅動電路 2025-01-21 立即下載

英飛凌400 V CoolSiC Inverter產品介紹

英飛凌 CoolSiC 2024-12-27 立即下載

英飛凌400 V CoolSiC MOSFET應用介紹

英飛凌 CoolSiC 2024-12-27 立即下載

英飛凌400 V CoolSiC MOSFET產品綜述

英飛凌 CoolSiC 2024-12-27 立即下載

英飛凌400 V CoolSiC MOSFET用于AI服務器的應用指南

英飛凌 CoolSiC 2024-12-27 立即下載

TOSHIBA東芝TPH1500CNH產品規格書datasheet

MOSFET 2024-11-13 立即下載

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CoolSiC MOSFET 650V G2論壇

07-16 永源微AP70H06NF-60VN-Channel增強模式MOSFET

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07-15 永源微APJ14N65D-650VN-Channel增強模式MOSFET

芯美力科技|瀏覽：3061|回復：0| 芯美力科技 2025-07-15 15:28:08

07-04 永源微APM-AP1N50MI650VN通道增強模式MOSFET

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02-10 超高壓MOS在輔助電源上的應用

18752004270|瀏覽：1536|回復：1| xqh518 2025-02-17 19:24:26

01-05 降低MOSFET損耗同時提升EMI性能

tanfpga|瀏覽：1065|回復：2| Hope2022 2025-01-28 01:03:07

01-05 淺析MOSFET的UIS及雪崩能量

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09-21 從原理的視角，一文徹底區分MOSMOSFETNMOSPMOSCMOS

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08-31 MOSFET耗盡型和增強型兩種類型原理介紹

tanfpga|瀏覽：461|回復：1| huan2220 2024-08-31 18:54:01

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